環球第2大NAND型快閃影像體廠東芝(Toshiba)28日公佈，已攜手SanDisk研發出環球首款使用堆疊96層製程專業的3D NAND Flash產物，且已辦妥試作、確定根本動作。該款堆疊96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB)、使用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)專業的產物，預測於2024年下半送樣、2024年開端進行量產，重要用來搶攻數據中央用SSD、PC用SSD以及聰明型電話、平板電腦和影像卡等市場。
上述堆疊96層的3D NAND將應用東芝四日市工場「第5廠房」、「新第2廠房」以及預測2024年夏天辦妥第1期工程的「第6廠房」進行生產。
東芝此後也計畫推出使用堆疊96層製程專業的512Gb(64GB)3D NAND產物以及使用環球首見的4bit/cell(QLC = Quad-Level Cell)專業的3D NAND產物。
東芝目前已量產堆疊64層的3D NAND產物，而和64層產物比擬，96層3D NAND每單元面積的影像容量擴張至約1.4倍，且每片晶運彩 店面圓所能生產的影像容量提升、每bit本錢也下滑。
東芝並於28羽球 運彩 大小日公佈，已試作出環球首見、使用4bit/cell(QLC)專業的3D NAND產物(見附圖)，且已辦妥根本動作及根本功能確實認。該款QLC試作品為使用堆疊64層製程專業、實現業界最大容量的768Gb(96GB)產物，已於6月上旬提供應SSD廠、管理器廠進行研發採用。
東芝表明，堆疊16片768Gb晶片、實現業界最大容量1.5TB的QLC專業產物預測於2024年8月送樣，且該款1.5TB產物將在8月7-10日時期於美國聖塔克拉拉舉辦的「Flash Memory Summit 2024」長進行呈現。
東芝於28日公佈，為了因應3D NAND需要擴張，將砸下1,800億日圓進行增產投資。
依據嘉實XQ環球贏家體制報價，截至臺北時間29日上午9點28分為止，東芝崩跌5.15至2玩運彩 npb72.8日圓。
依據IHS Technology的資料顯示，2024年三星NAND Flash環球市佔率(以金額換算)達35.2、穩居首位，運彩棒球分析東芝以19.3居次、WD以15.5位居第3。
三星6月15日公佈，64層256Gb V-NAND(第4代V-NAND)已開端進行量產，且計畫在2024年年底之前將64層產物產量佔整體NAND月產量比重提高至50以上水準。
日經報導5月30日新聞，南韓三星電子計畫砸下10兆韓圜(約1兆日圓)在中國西安工場建置第2條NAND型快閃影像體(Flash Memory)產線，目的在2024年將西安工場月產能提高至現行的2倍。該條新產線預測於本年內動工，完工投產後、合併第1條產線產能算計，西安工場月產能將倍增至22萬片(以矽晶圓換算)。三星西安工場重要生產最先端的3D NAND Flash產物。