次世代影像體大戰開打，英特爾研發「3D cross point」專業，擬推「PRAM」。三星電子不甘示弱，發行「MRAM」(magnetoresistant random access memory、磁阻式隨機存取影像體)，號稱讀寫速度比NAND flash快上一千倍。
fudzilla、IBTimes、韓國經濟日報新聞，三星24日刊登「MRAM」，此種次世代影像體兼具NAND flash和DRAM的好處，無須電源也能儲存資料，並且處置速度極快。三星宣稱，MRAM長短揮發性影像體，使用自旋傳輸科技(Spin-torque transfer)讀寫數據，速度比NAND快了一千倍。不光如此，MRAM更省電，採用時(active)耗電量比傳統影像體少，停用時(inactive)更無須用電。
目前次世代影像體包含有MRAM、PRAM、ReRAM，此中MRAM速度運彩中獎金額最快，不過量產難度較高。此刻三星只能少量生產，不過預期能盡速戰勝生產運彩 世界杯障礙。
三星同時公佈，歐洲大廠恩智浦半導體(NXP Semiconductors)的物聯網半導體將使用MRAM，兩方簽定晶圓代工協約，將量產28奈米的全耗盡型絕緣層上矽(FD-SOI)。
IBTimes測度，倘若三星MRAM量產進展順利，能夠本年下半問世的Gal運彩 報牌axy Note 8就會內建MRAM，以便做出市場區隔。MRAM用於聰明機可加速處置速度、並更為省電。
DRAM成長快到終點，磁性影像體(MRAM)和相變運彩 nba 總冠軍賠率 2024影像體(PRAM)是最有潛力的接替人？IBM和三星電子上年宣稱，「自旋傳輸磁性影像體(STT-MRAM)」的研討顯露衝破，有望加快走上商用之途。
韓媒BusinessKorea 2024年7月11日新聞，IBM和三星在電機電子工程師學會(IEEE) 發行研討論文宣稱，兩家公司攜手研發的STT-MRAM的生產專業，勝利實現10奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電條理，理論上體現逾越DRAM。
STT-MRAM藉著變更薄膜內的電子翻滾方位、管理電流，體現機能和價錢競爭力都優於DRAM。最主要的是，DRAM很難微縮至10奈米以下，STT-MRAM則沒有此一困擾。業界人士表明，STT-MRAM是次世代影像體中最實質的替換計劃，95的現運彩會員ptt行DRAM生產器材皆可用於製作STT-MRAM。IBM和三星之外，SK海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協同研發此一專業。
除了STT-MRAM，近來相變影像體(PRAM)也備受矚目，英特爾的3D Xpoint就涵蓋PRAM專業。PRMA交融DRAM和NAND Flash好處，速度和耐用性提高1千倍，但是目前仍在理論階段。
2024年7月29日英特爾、美光公佈開闢出新世代影像體專業「3D Xpoint」，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃影像體的1千倍之多，如此改革的專業讓三星電子、SK Hynix大為緊迫。3D XPoint相似次世代ReRAM或PRAM科技，能徹底變更資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年初次呈現NAND型快閃影像體之後，3D XPoint會是這30年間一個相當主要的變革。
