臺積電(2330)痛宰三星電子，搶下高通(Qualm)驍龍(Snapdragon)處置器大單？據傳臺積電微縮製程進度大幅超運彩日本賠率前三星，高通變心，決擇把7奈米晶片訂單轉給臺積電。
韓媒etnes新聞(見此)，三星替高通代工驍龍820、830系列晶片。但是業界動靜揭露，前程高通將轉單臺積電，生產7奈米的次世代驍龍處置器。據了解，臺積電本年9月將試產7奈米驍龍晶片，預定本年底到來歲初之間量產。據稱三星掉單來由是，上年下半臺積電就提供客戶7奈米的製程設計套件(Process Design Kit, PDK)，三星電子遠遠後進，要到本年七月才幹發行7奈米PDK的beta測試版本。
新聞稱，臺積電眼力精確，跳過10奈米、直攻7奈米製程。三星電子則停留10奈米，近來才推出比10奈米略為升級的8奈米製程。從三星自家Exynos處置器生產進度也可發明玩運彩下注策略，三星7奈米腳步遲緩。來歲初量產的次世代Exynos晶片，將採8奈米，7奈米Exynos晶片要到來歲下半才會量產。
臺積電不但製程研發腳步快，另一優勢是把握進步封裝專業–「扇出型晶圓級封裝」(Fan-O世足 運彩 比分賠率ut Wafer Level Package，FoWLP)。三星在這方面也後進臺積，只管全心研發比FoWLP更先進的「扇出型面板級封裝」(Fan-out Panel Level Package、FoPLP)，但估算仍需一兩年時間才幹使用。
之前外媒也有謠言流傳，高通次世代驍龍845晶片訂單，能夠不再由三星吃下。
AndroHeads棒球運彩分析 5月新聞，據了解高通次世代晶片驍龍845進入研發，預定2024年頭問世，首發機種是三星電子的Galaxy S9；一如本年上市的驍龍835，首發機種為Galaxy S8。目前驍龍835訂單由三星電子一家通吃。
動靜稱，驍龍835使用10奈米製程，來歲的驍龍845將晉級至7奈米製程，和前代比擬，機能將增加25~35。三星電子和臺積都勤奮奪取訂單，目前臺積電7奈米製程已進入試產。
據稱，除了高通之外，聯發科(2454)、陸廠華為、Nvia也都有意改用7奈米製程。
另有，外傳三星封測專業不如人，10奈米以下封裝製程盤算外包。
韓媒etnes 6月8日新聞，業界動靜揭露，近期三星體制LSI部分找上美國和中國的OSAT(委外半導體封裝測試業者)，請他們開闢7、8奈米的封裝專業。據傳美廠手上高通訂單忙不完，未當即回覆。陸廠則表白了接單意願。
倘若三星真的把封測製程外包，將是該公司開端生產Exynos晶片以來首例。三星仍在斟酌要自行研發或外包，意料在本月或下個月做出末了決擇。